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IXTK 21N100
IXTN 21N100
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V DS = 500V
I D = 12A
I G = 10mA
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
C iss
C oss
C rss
f = 1 MHz
V DS = 25V
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
V DS - Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Fig.10 Transient Thermal Impedance
1
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single pulse
0.001
D = Duty Cycle
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
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